硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生微小應(yīng)變時(般步于400微應(yīng)變)，其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能狀態(tài)會發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)大變化，這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學(xué)特性，在同切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了個集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配放大電路及相關(guān)部件，使之輸出個標(biāo)準(zhǔn)信號，就組成了臺完整的擴散硅壓力變送器。當(dāng)介質(zhì)的壓力直接作用在傳感器的膜片上，使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻發(fā)生變化，和用電子線路檢測這變化，并轉(zhuǎn)換輸出個對應(yīng)于這個壓力的標(biāo)準(zhǔn)信號。